机译:InN和InGaN合金中的掺杂剂和缺陷
Univ Calif Berkeley, Lawrence Berkeley Lab, Div Mat Sci, Berkeley, CA 94720 USA;
Univ Calif Berkeley, Dept Mat Sci & Engn, Berkeley, CA 94720 USA;
Cornell Univ, Dept Elect & Comp Engn, Ithaca, NY 14853 USA;
defects; doping; nitrides; semiconducting indium compounds; SEMICONDUCTORS;
机译:InN,InGaN和InN / InGaN量子阱的生长和特性
机译:InN和In-In-InGaN合金的亚稳态性质
机译:通过RF-MBE生长高质量的In-InGaN合金以制造基于InN的量子阱结构
机译:富含Ingan三元合金和Inn / Ingan MQWS的极性依赖性
机译:Inn和IngaN Nanostrctures的光学分析= Optiant Analsite Von Ind Indoostructure
机译:外延生长过程中缺陷形成的分子动力学研究(0001)GaN表面上的InGaN合金的制备
机译:通过金属有机化学气相沉积法了解和优化InN和高铟InGaN合金