...
机译:碳化硅(SiC)单晶物理气相传输生长过程中的位错的传播行为
Nippon Steel Corp Ltd, Adv Technol Res Labs, Chiba 2938511, Japan;
defects; growth from vapor; silicon carbide; SUBLIMATION GROWTH; SEMICONDUCTORS; NUCLEATION; DEFECTS;
机译:使用X射线形貌研究了物理蒸汽传输中的纯和混合穿线螺旋脱位的纯和混合穿线螺旋脱位的群体
机译:物理气相输运生长的六角形碳化硅单晶中基底平面位错的行为
机译:通过杂化方法生长的4H-SiC晶体中的螺纹螺纹脱位的大规模降低与较高偏角基材上的溶液生长和物理蒸汽输送生长结合
机译:通过物理气相传输(PVT)生长无微管的单晶碳化硅(SiC)锭
机译:物理气相传输生长的碳化硅晶体中位错倍增的有限元建模。
机译:碳化硅(SIC)纳米晶体技术和特性及其在记忆结构中的应用
机译:用原位3D计算断层扫描可视化物理蒸汽运输过程中SiC晶体生长动力学研究