机译:Ga和Sb前驱体化学性质对通过金属有机气相外延生长的伪变形GaAs_(1-y)Sb_y薄膜中合金成分的影响
Department of Chemical and Biological Engineering, University of Wisconsin-Madison, 1415 Engineering Drive, Madison, WI 53706-1691, USA;
A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:金属有机气相外延生长应变GaAs_(1-y)Sb_y层
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:金属有机气相外延生长的GaNAs合金成分波动的观察
机译:稀释剂对α(6H)-SIC基底上的金属蒸汽相外延生长的AlN和GaN薄膜性能的稀释剂
机译:金属有机气相外延生长的薄膜InMnSb多相半导体合金的相稳定性和铁磁性
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:(In,mn)中的铁磁性作为由金属有机蒸气生长的合金薄膜 相外延