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机译:Si(001)邻面上漂移引起的台阶聚束过程中台阶对的运动
Information Media Center, Kanazawa University, Kakuma-cho, Kanazawa 920-1192, Japan;
A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Morphological stability;
机译:台阶束辅助相邻GaAs(001)表面上ln_(0.19)Ga_(0.81)As / GaAs量子点的二维排序
机译:二维对Si(001)邻面阶梯聚束的影响
机译:相邻Si(001)衬底上的Si_(0.55)Ge_(0.45)岛的有序性:动力学阶梯聚束与应变驱动的岛生长之间的相互作用
机译:与Si / Si(001)邻近界面台阶相关的位错的原子建模和HREM成像
机译:在邻近表面上的步骤:密度泛函理论计算和超越最小的统计力学模型。
机译:IsWI remodelers滑动与协作多碱基对条目的步骤和单碱基对出口步骤核
机译:蒸发和撞击对si(001)邻近面上漂移引起的台阶不稳定性的影响
机译:si沉积在si(100)表面上单层台阶转变为双层台阶的动力学机制。