机译:在硅(111)衬底上生长的无意识掺杂的Gan的生长和表征
NEXT35, IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
a1. impurities; a1. line defects; a1. point defects; a3. metalorganic vapor-phase epitaxy; b1. nitrides; b3. high electron mobility transistor;
机译:掺有铁调制和无意掺杂GaN缓冲的蓝宝石上生长的GaN / AlGaN / AlN / GaN HEMT的比较:材料生长和器件制造
机译:在Si(111)衬底上生长的GaN中与Al预注入和硅δ掺杂引起的位错an没相关的深能级
机译:在硅(111)衬底上生长的GaN膜的表征
机译:通过MOCVD在Si(111)基材上生长的无意掺杂GaN薄膜的电阻率控制
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:氨分子束外延生长无意掺杂的SiC半绝缘GaN和蓝宝石上的高电阻GaN的生长动力学和电子性质
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层