机译:用Movpe生长各种含锑合金
Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Carching, Germany;
a1. characterization; a1. crystal structure; a3. metal organic vapour phase epitaxy; b1. antimonides; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:稀铋化物III / V合金的MOVPE生长机理
机译:长波长应用中含锑合金材料的Movpe生长
机译:MOVPE在LiAlO_2上生长GaN及其合金的研究。
机译:用于长波长发射的高氮GaAsn合金薄膜的MOVPE生长窗
机译:MOVPE生长的氮化镓基同轴LED的生长,加工和表征
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:MOVPE生长的III-V半导体合金的光致发光性能与基准结构的关系
机译:LWIR alInas / GaInas / Inp量子级联激光器的mOVpE生长:生长和材料质量对激光性能的影响。