机译:使用Ga和Al催化剂的VLS生长Si纳米锥
Department of Physics, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78712, USA;
A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processor; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;
机译:硅衬底上单晶β-氧化镓(Ga_2O_3)薄膜的催化剂改性气液固(VLS)生长
机译:通过化学气相沉积研究Ni催化剂在准取向GaN纳米线的VLS生长中的作用
机译:(111)Si衬底上无催化剂的GaAs纳米线的MBE-VLS生长
机译:垂直对准的AlN纳米核苷阵列的低温生长无催化剂和对其现场排放行为的研究
机译:合理利用气液固(VLS)方法成核和生长。
机译:石墨烯在γ-Al2O3催化剂上的生长定量生长分析及应用
机译:使用锡催化剂通过等离子体辅助VLS合成硅纳米线的生长研究
机译:磁带VL0015,VL0016,VL0017,VL0018,VL0019和VL0020的Nasa全球大气采样计划(Gasp)数据报告