Exploration of Ba_3N_2 flux for GaN single-crystal growth

H.Q. Bao; H. Li; G. Wang; B. Song; W.J. Wang; X.L. Chen

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Exploration of Ba_3N_2 flux for GaN single-crystal growth

机译：GaN单晶生长Ba_3N_2助熔剂的探索

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A1. crystal morphology; A1. characterization; A1. X-ray diffraction; A2. single crystal growth; B1. nitrides; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials

机译：A1。晶体形态A1。表征; A1。 X射线衍射; A2。单晶生长B1。氮化物B2。半导体Ⅲ-Ⅴ材料

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2008年第12期|p.2955-2959|共5页
作者
H.Q. Bao; H. Li; G. Wang; B. Song; W.J. Wang; X.L. Chen;
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作者单位

Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 603, Beijing 100080, PR China;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
入库时间 2022-08-17 13:20:51

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