机译:在接近大气压的条件下从溶液中生长出不同习性的GaN单晶
Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA;
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A2. Growth from high temperature solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B1. GaN;
机译:在大气压下由溶液生长的块状GaN晶体的表征
机译:在接近大气压下从溶液中生长GaN单晶的晶种生长
机译:血小板和针头:压力生长的GaN晶体的两种习惯
机译:重力对从溶液生长的化合物的单晶习惯的影响
机译:通过高压化学气相沉积和ZGP单晶的高压化学气相沉积和振动研究生长的氮化铟外膜的光学和结构性
机译:溶液生长CsPbBr3钙钛矿单用于光子检测的晶体
机译:GaN单晶通过高压溶液生长。
机译:近大气压下溶液生长的块状GaN晶体的表征