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Preface

机译:前言

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摘要

The 6th and latest edition of the "International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors" (IWBNS6) was held on August 24-28, 2009, in Galindia, Poland, following the five previous workshops held in November 2000 (Brazil), May 2002 (Brazil), September 2004 (Poland), October 2006 (Japan), and September 2007 (Brazil). The IWBNS6 reunited a number of scientists from research institutions and industry from many countries to share their approaches to overcome the difficulties in growing high quality, large area bulk nitrides and epitaxial layers with controlled properties. The four-day workshop covered a broad range of topics, which included the chemical vapor growth of thick freestanding films, bulk crystal growth using low- and high-pressure solution, and physical vapor transport methods. The structural, optical and electronic properties of native substrates and homepitaxial layers, and the fabrication and properties of optoelectronic and electronic devices were also highlighted. III-nitrides growth modeling and theory was also intensively discussed.
机译:继2000年11月(巴西),2002年5月(巴西)举行的前五次研讨会之后,2009年8月24日至28日在波兰加林迪亚举行了第六次最新版的“大块氮化物半导体国际研讨会”(IWBNS6)。 ),2004年9月(波兰),2006年10月(日本)和2007年9月(巴西)。 IWBNS6召集了来自许多国家的研究机构和行业的众多科学家,共同分享他们的方法,以克服在生长高质量,大面积块状氮化物和具有可控特性的外延层方面的困难。为期四天的研讨会涵盖了广泛的主题,包括厚的独立膜的化学气相生长,使用低压和高压溶液的块状晶体生长以及物理气相传输方法。还强调了本机基板和外延层的结构,光学和电子特性,以及光电和电子设备的制造和特性。还深入讨论了III族氮化物的生长模型和理论。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |2010年第18期|P.vii-vii|共1页
  • 作者单位

    Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA;

    Institute of High Pressure Physics, UNIPRESS, Warsaw 01-142, Poland;

    rnWPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 13:19:23

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