机译:共蒸发生长的(In_(1-x)Al_x)_2S_3薄膜的表征
Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), CNRS, UMR 6502, 2 rue de la Houssiniere, B.P. 32229, 44322 Nantes Cedex 3, France;
rnInstitut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), CNRS, UMR 6502, 2 rue de la Houssiniere, B.P. 32229, 44322 Nantes Cedex 3, France;
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A3. Co-evaporation; A3. Polycrystalline deposition; B1. Sulfides; B3. Solar cells;
机译:硒化法制备Cu(In_(1-x),Al_x)Se_2薄膜的研究
机译:大气压硒化溅射前驱体生长Cu(In_(1-x)Al_x)Se_2薄膜
机译:射频磁控溅射一步沉积Cu(In_(1-x)Al_x)Se2薄膜
机译:由MBE在GaAs上生长的in_(1-x)mn_xas和ga_(1-x)外延膜的结构表征
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:分子束外延生长InPBi薄膜的结构和光学表征
机译:CD的制备和表征CD LT; INF $ GT; X $ LT; / INF $ GT; TE薄膜通过共蒸发沉积