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机译:利用数值模拟优化硅定向凝固系统的功耗
CCL Technology Research Center, IIC, 400 Columbia Point Drive, Suite 102, Richland, WA 99352, USA;
CCL Technology Research Center, IIC, 400 Columbia Point Drive, Suite 102, Richland, WA 99352, USA;
A1. Directional solidification; A1. Numerical simulation; A1. Radiation; A3. Solar cell; B1. Silicon;
机译:高硅钢含铌定向凝固的数值模拟与工艺优化
机译:多晶硅定向凝固系统侧加热器温度控制设计数值模拟
机译:流动磁场中多晶硅定向凝固的非等温模型实验和数值模拟
机译:高硅钢含铌定向凝固的数值模拟与工艺优化
机译:定向凝固系统(DSS)中多晶硅生长的数值模型
机译:单晶高温合金铸件定向凝固过程的数值模拟与优化
机译:用数值模拟分析垂直磁场对多晶硅定向凝固期间熔体对流和氧气输送的影响
机译:高级自动定向凝固炉(aaDsF)温度梯度的数值模拟评价