机译:催化剂辅助分子束外延在硅衬底上生长的InAs / InP纳米线
Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Cotlongue, 69134 Ecully, France Universite de Monastir, Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON), Faculte des Sciences, Avenue de I'environnement, 5019 Monastir, Tunisia;
Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Cotlongue, 69134 Ecully, France;
Universite de Monastir, Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON), Faculte des Sciences, Avenue de I'environnement, 5019 Monastir, Tunisia Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, INSA-Lyon, 7 avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne, France;
Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, INSA-Lyon, 7 avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne, France;
Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, INSA-Lyon, 7 avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne, France;
Universite de Monastir, Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON), Faculte des Sciences, Avenue de I'environnement, 5019 Monastir, Tunisia;
Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN), UPR20-CNRS, route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Cotlongue, 69134 Ecully, France;
A1. core-shell nanowires; A3. VLS-MBE; B2. Ⅲ-V semiconductors; B3. monolithic integration on silicon;
机译:分子束外延在硅衬底上生长的InP / Gd_2O_3纳米线的形貌和结构特性
机译:分子束外延(MBE)参数对硅(111)基材INAS纳米线催化剂生长的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长的GaN纳米线在非晶Al_2O_3缓冲硅衬底上的排列
机译:通过选择区域分子束外延在GaAs(110)掩蔽基板上横向生长INAS纳米线的磁传输性能
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:SI掺入INP纳米线的AU辅助分子束外延生长