机译:通过改变分子束外延过程中的生长温度来控制GaN纳米棒的直径
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;
机译:通过压力控制溶液生长制备的块状GaN单晶上反应性分子束外延生长GaN层的同质外延生长
机译:分子束外延生长的GaN纳米棒的光学性质;对生长时间的依赖
机译:通过氨基金属有机分子束外延高温生长GaN和Al_(x)Ga_(1-x)N
机译:通过分子束外延在GaN单晶衬底上生长同质外延GaN层和GaN / AlGaN多量子阱
机译:通过分子束外延技术控制酞菁超薄膜的取向
机译:N2分压对液靶反应磁控溅射外延沉积GaN纳米棒生长结构和光学性能的影响
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性