机译:在GaAs和InP-(111)衬底上制造的六方相ZnMgCdOSSe混合晶体系统制成的新型UV /蓝/绿光发射器的设计
hexagonal phase; ZnMgCdOSSe Ⅱ-Ⅵ compounds; band lineups; CdZnS; MOVPE; blue laser diode;
机译:在GaAs和InP-(l 1 l)衬底上制造的六方相ZnMgCdOSSe混合晶体系统制成的新型UV /蓝/绿光发射器的设计
机译:低位错密度GaN衬底上制造的具有低效率下降的高内部量子效率蓝绿色发光二极管
机译:在r蓝宝石衬底上的a面GaN膜上和a面体GaN衬底上制造的蓝色发光二极管
机译:基于Gan-Ingan多量子孔的UV,蓝色和绿色发光二极管在蓝宝石和(111)尖晶石基板上
机译:幼苗生长和形态适应发光二极管发出的蓝色,绿色和红色光。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:非极性M平面INXGA1-XN / GAN蓝光发光二极管的预期发射效率和平面光极化,在独立GAN基板上制造
机译:多孔siC衬底发光二极管及其制备方法。