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机译:通过光致发光法表征退火的切克劳斯基生长的硅晶片中的缺陷
photoluminescence; silicon; oxygen precipitate; carrier lifetime; deep-level;
机译:微分方法在切克劳斯基生长的硅片中区分晶体起源粒子和光点缺陷的准确性
机译:在热供体形成期间n型Czochralski-生长硅晶片中的环状缺陷形成
机译:n型Czochralski-生长硅晶片的环缺陷发作
机译:Czochralski-生长硅晶片中的纳米缩影表征在氢退火中
机译:硅,绝缘体上硅和锗硅晶片的光致发光。
机译:多晶硅片上扩散长度分布的通孔研究光致发光方法
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响
机译:氧化硅片中p / sub b /和E'缺陷中心的氢退火