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A study on the growth of Yb:YVO_4 single crystal

机译:Yb:YVO_4单晶的生长研究

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摘要

The Yb:YVO_4 crystals with various dopant concentrations of Yb~3+ were grown using the Czochraski method. The preparation technique of polycrystalline materials, changes in the lattice parameters with various dopant concentrations of Yb~3+, laser damage threshold values, growth protective atmosphere, as well as the influence of slight amount of water vapor on the crystallization are described.
机译:使用Czochraski方法生长具有各种掺杂剂浓度的Yb〜3 +的Yb:YVO_4晶体。描述了多晶材料的制备技术,Yb〜3 +掺杂浓度不同时晶格参数的变化,激光损伤阈值,生长保护气氛以及少量水蒸气对结晶的影响。

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