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机译:修正ABC模型的InGaN MQW发光二极管的温度相关效率下降分析
Karunya Univ, Dept Elect & Commun Engn, Coimbatore, Tamil Nadu, India;
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ABC model; IQE; InGaN; MQW; LED; Quantum well;
机译:电子对InGaN / GaN MQW发光二极管中的效率下降的过冲效应
机译:修正的速率方程具有弱相空间填充效应的半极性InGaN量子阱发光二极管低效率下垂分析
机译:基于InGaN的蓝色发光二极管和基于AIGalnP的红色发光二极管的电流和温度相关的效率下降
机译:通过设计电子阻挡层减少GaN / IngaN多量子孔发光二极管的Si-掺杂屏障模型的效率下垂
机译:iii-v氮化物基发光二极管的峰值辐射效率和电子漂移引起的效率下降。
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
机译:电子对InGaN / GaN mQW发光二极管效率下降的过冲影响