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Sputtering Yield of Germanium in Rare Gases

机译:稀有气体中锗的溅射产率

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摘要

Sputtering yields of germanium bombarded by Xe+, Kr+, A+, Ne+, and He+‐ions under normal incidence at energies up to 400 ev have been determined. Yield vs ion energy curves consist of three parts; (1) a low‐energy tail (possibly caused by a process of stepwise sputtering), (2) a region in which yield rises proportionally with ion energy, and above ion velocities of ∼3×106 cm/sec, (3) a region in which the yield rises less than proportionally with ion energy. The slope in the proportional region is largely determined by the energy transfer factor, η=4m1m2/ (m1+m2)2. Surprisingly, the ``cut in'''' energies do not follow V0∼H/η (H=heat of sublimation) but are found to be much lower than expected for the lighter gases. The empirical result, V0∼H(m1)½/η (m1=atomic weight of ion), is not yet understood.
机译:已经确定了在Xe +,Kr +,A +,Ne +和He +-离子在法向入射下以400 ev以下的能量轰击的锗的溅射产率。产率与离子能量的关系包括三个部分。 (1)低能量尾部(可能是由逐步溅射工艺引起的),(2)产量随离子能量成比例增加且高于离子速度约3×106 cm / sec的区域,(3)a产率随离子能量成比例增加的区域。比例区域中的斜率在很大程度上取决于能量传输系数η= 4m1m2 /(m1 + m2)2。出人意料的是,``切入''能量不遵循V0〜H /η(H =升华热),但被发现比较轻的气体低得多。经验结果V0〜H(m1)1/2 /η(m1 =离子的原子重量)尚不清楚。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |1959年第3期| 共4页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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