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Semiconductor Materials Department, Hughes Research Laboratories, Malibu, California;
机译:状态密度尾部对带间隧穿的影响:理论和在隧道场效应晶体管中的应用
机译:结合扫描隧道光谱,力显微镜和密度泛函理论分析的原子尖端结构对非弹性隧道光谱数据强度的影响
机译:使用博弈论和模糊层次分析法设计新的智能专家决策,以进行隧道项目的设计,施工和运营中的风险管理(案例研究:Resalat隧道)
机译:在布伦纳基础隧道项目中成功实施应急隧道的“ SEM-单壳衬砌概念”-创新的喷射混凝土模型的理论和实践
机译:铱修饰的硅表面和石墨上有机分子自组装单层的扫描隧道显微镜/光谱测量和密度泛函理论计算
机译:图论评估腕管综合征的异常脑连接
机译:结合扫描隧道谱,力显微镜和密度泛函理论分析原子尖端结构对非弹性隧道谱数据强度的影响
机译:谐振隧穿二极管中高达200 GHz的基本振荡及其固定状态隧穿理论的最大振荡频率的新估计