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Photothresholds in Mg2Ge

机译:Mg2Ge中的光阈值

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摘要

Optical absorption and surface barrier photoresponse measurements have been made on cleaved samples of Mg2Ge. The form of the results obtained from both techniques indicates an indirect transition at approximately 0.54 eV followed by a direct transition at approximately 1.8 eV.
机译:已经对分裂的Mg2Ge样品进行了光吸收和表面势垒光响应测量。从这两种技术获得的结果的形式表明,在大约0.54 eV处发生了间接跃迁,随后在大约1.8 eV处发生了直接跃迁。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |1964年第8期| 共3页
  • 作者

    Mead C. A.;

  • 作者单位

    California Institute of Technology, Pasadena, California;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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