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机译:膜沉积期间和之后的相序变化
Bell Telephone Laboratories, Incorporated, Murray Hill, New Jersey;
机译:沉积 - 温度介导的VO2膜的选择性相转变机理
机译:溅射沉积对GaN薄膜相变影响的基材
机译:微波基气相沉积系统中的微型谷物碳膜的相变和临界现象
机译:溅射沉积对GaN薄膜相变对底物的影响
机译:用于超导电子的hall钡钙铜氧化物薄膜:前体性能,沉积机理,相形成和通过金属有机化学气相沉积形成的三层结构。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:通过脉冲激光沉积制备的6H-SiC(0001)衬底上的VO2薄膜的增强相变性
机译:偏压溅射沉积过渡金属/稀土薄膜的非均匀生长