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机译:具有受控电特性的钽,氧化钽和氮化钽的沉积
Pomona Division, General Dynamics, Pomona, California;
机译:电学特性对按比例缩放的氮化钽-氧化铝-氮化硅-氧化硅-硅闪存器件中凹陷区深度的依赖性
机译:使用前体叔丁基酰亚胺基-三乙基乙基甲基酰胺基钽和水的氧化钽薄膜的原子层沉积:工艺特性和膜性能
机译:从Taci5,SiCi4和O3的钽氧化物和钽硅酸盐的原子层沉积:生长行为和薄膜特征
机译:氮化钽和硅化钽的阳极氧化制备Ta_2O_5薄膜:生长机理,电学特性和ULSI M-I-M电容器性能
机译:通过无机低温化学气相沉积法生长的钽和氮化钽膜,用于铜金属化:化学,工艺以及材料开发和表征。
机译:通过原子层沉积与透明导电氧化物基板集成的氮化钽薄膜用于光电化学水分解
机译:矿物对钽(V)氧化铝 - 氮化铝混合物的热处理钽(v)氮化物(Ta 3 sub> N 5 sum>)的影响
机译:多重辐射能量色散X射线反射率测定钽,钽氧化物和干凝胶的薄膜密度