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机译:能量范围为852 eV至40 keV的中低Z吸收体的X射线光效应截面
Department of Physics, The Johns Hopkins University, Baltimore, MarylandLaboratory of Atomic and Solid State Physics, Cornell University, Ithaca, New York;
机译:在59.537 keV时原子区40≤Z≤52和58≤Z≤68的K壳层,L子壳层和L壳层的光效应截面
机译:在38-80 keV的能量范围内,对于42 <= Z <= 68的某些元素,光子诱导的K alpha和K beta X射线产生截面的能量依赖性
机译:在20-50 keV能量范围内,对于某些38≤Z≤51的元素,光子诱导的Kα和KβX射线产生截面的能量依赖性
机译:HENEX光谱仪记录的激光产生等离子体的硬X射线光谱在1 keV-40 keV能量范围内
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:离子液体作为参比物质的候选能量色散X射线光谱仪的快速性能检查低于1 keV的低能量范围
机译:用于分析应用的氘核能量范围740-2000keV的12C(d,p [γ])13C反应截面的测量和评估
机译:中子截面为239pu和240pu,能量范围为1 keV至14 meV