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机译:NeI的配置(2p)5(3p)特征向量和2s-2p跃迁的相对概率
Department of Electrical Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota;
机译:1s 2 sup> 2s 2 sup> 2p 6 sup> 3s 2 sup> 3p 6 sup> 3d 2 sup> D sup>→的激发能和振子强度→ 1s 2 sup> 2s 2 sup> 2p 6 sup> 3s 2 sup> 3p 5 sup> 3d 2 sup> 2 sup> P sup>,2 < / sup> D sup>,V4 + sup>中的2 sup> F sup>个过渡
机译:Ne II的2p(4)3p,2p(4)3d和2p(4)4s水平过渡的分支分数和过渡概率
机译:O〜(2+)中2s〜2 2p〜2〜3P→2s〜2 2p〜2〜1D跃迁的电子激发截面
机译:5P / 4P / 3P / 2P电池模块广泛开发和认证
机译:电子通过原子系统(1s)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)9的原子散射。
机译:Os VII和Ir VIII的(5d2 + 5d6s)–5d6p过渡阵列以及Ir IX的6s 2S–6p 2P过渡的分析
机译:不同态1S 2P,1S 3P,1S 3D和2S 2P中Li-和C-原子的费米孔和局部费米孔的研究
机译:利用slater波函数对Li(2s产率2p),Li(2s产率3p),Na(3s产率4p),mG(3p产率4s),Ca(4s产率)的Born近似计算总电子激发截面4p)和K(4s产率4p)激发