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Extension of the double resonator technique

机译:扩展双谐振器技术

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摘要

The application possibilities of the double resonator technique for simultaneous thin‐film areal mass density and integrated lateral stress measurements have been expanded by removing the requirement of equal film thicknesses on both resonators. Several situations with either or both of the integrated stress or the areal mass density being proportional to film thickness are treated. The new equations are tested with Er metal film deposition and hydriding results.
机译:通过消除两个谐振器上相等的膜厚要求,扩大了双谐振器技术在同时进行薄膜面积质量密度和集成横向应力测量中的应用可能性。处理了积分应力或面积质量密度中的一个或两个都与膜厚度成比例的几种情况。新的方程式通过Er金属膜沉积和氢化结果进行了测试。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |1973年第10期| 共4页
  • 作者

    EerNisse E. P.;

  • 作者单位

    Sandia Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87115;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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