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【24h】

Reply to ‘‘Comment on ‘Phonon fluctuation model for flicker noise in elemental semiconductors’ ’’ [J. Appl. Phys. 52, 2884 (1981)]

机译:回复“关于“元素半导体中闪烁噪声的声子波动模型的评论”” [J.应用物理52,2884(1981)]

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摘要

Phonon fluctuation model for flicker noise in elemental semiconductors is consistent with then existing data. New experimental results may necessitate a reinterpretation of some of the axioms of the model. A further improvement in the model can result by reviewing some of the assumptions involved.
机译:元素半导体中闪烁噪声的声子起伏模型与现有数据一致。新的实验结果可能需要重新解释模型的一些公理。该模型的进一步改进可以通过回顾所涉及的一些假设来实现。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1986年第8期|P.2984-2985|共2页
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  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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