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机译:高取向加热速度和短时退火利用取向错误的能量降低了50 nm宽铜线的电阻率
Department of Materials Science and Engineering, Ibaraki University, 4-12-1 Nakanarusawa-cho, Hitachi 316-8511, Japan;
机译:高取向加热速度和短时退火利用取向错误的能量降低了50 nm宽铜线的电阻率
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