机译:勘误:不使用压电材料的压电薄膜超晶格[J.应用物理108,024304(2010)]
Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston Texas 77204, USA;
机译:勘误表:“高效半金属/半导体纳米复合热电材料” [J.应用物理108,123702(2010)
机译:勘误:“从头开始研究掺锌AlxGa1-xN合金的晶格振动和极化子特性” [J.应用物理108,113710(2010)]
机译:勘误表:“局部接触的背面钝化太阳能电池的综合分析模型” [J.应用物理108,124510(2010)
机译:物联网/物联网应用的压电材料薄膜加工技术
机译:在不使用压电材料的情况下创建压电材料的可能性。
机译:勘误表:完整的单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性能 附录。物理来吧96012907(2010)
机译:压电薄膜超晶格不使用压电材料 物料