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【24h】

Formation of pure GaAs nanotubes driven by surface stress imbalance

机译:表面应力不平衡驱动纯GaAs纳米管的形成

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摘要

We demonstrate a mechanism for fabricating pure GaAs nanotubes by molecular dynamics simulation. We show the reconstruction of GaAs(001) surface may induce a large stress imbalance between the top and bottom surfaces in a GaAs nanofilm. Driven by such intrinsic surface-stress imbalance, a flat GaAs nanofilm with reconstructed surfaces may self-bend into a nanotube. Our findings suggest the possibility of using ultrathin single layer of GaAs films alone to fabricate pure GaAs nanotubes by manipulating their surface structure.
机译:我们展示了一种通过分子动力学模拟制造纯GaAs纳米管的机制。我们表明,GaAs(001)表面的重建可能会在GaAs纳米膜的顶部和底部表面之间引起较大的应力不平衡。在这种固有的表面应力不平衡的驱动下,具有重构表面的平坦GaAs纳米膜可能会自弯曲成纳米管。我们的发现表明,有可能单独使用GaAs薄膜的超薄单层来通过操纵其表面结构来制造纯GaAs纳米管。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |2013年第23期| 234308-234308| 共1页
  • 作者单位

    Department of Optoelectronic Technology, Chengdu University of Information Technology, Chengdu, Sichuan 610225, China|c|;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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