机译:勘误表:“ Ni在金薄膜中的晶界扩散率以及由于表面氧化膜的形成而导致的电接触电阻的降低” [J.应用物理113,114906(2013)]
Materials Science and Engineering Center, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87123, USA;
contact resistance; electrical contacts; gold; grain boundary diffusion; metallic thin films; nickel; 6172Mm; 6630-h; 7340Cg;
机译:Ni在Au薄膜中的晶界扩散率以及由于表面氧化膜的形成而导致的电接触电阻的降低
机译:评述“通过Ni / Au膜的氧化实现与p型GaN的低电阻欧姆接触” [J.应用物理86,4491(1999)]
机译:缩回:晶粒尺寸和应变对氧化f纳米晶体薄膜光学和电学性质的影响[J.应用物理108,083529(2010)]
机译:Au / Au薄膜微触点电阻的时间相关性研究。
机译:铜-镍薄膜接触器中电降解过程的研究。
机译:在Au(111)表面上的超薄Pt膜中形成表面和量子阱态
机译:评论“1 / f噪声结垢的案例研究:La2 / 3sr1 / 3mnO3薄膜”J.申请物理学。 113,094901(2013)