机译:InAs / GaSb隧道二极管的微结构和电导率斜率
Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA|c|;
机译:新型GaSb / AlSb / GaSb / AlSb / InAs / AlSb / InAs三势垒带间隧穿二极管
机译:用于逻辑电路的InAs / AlSb / GaSb谐振带间隧穿二极管和Au-on-InAs / AlSb超晶格肖特基二极管
机译:具有InAs / AlSb双势垒结构的InAs / GaSb超晶格共振隧穿二极管光电探测器
机译:InAs层对GaSb / AlSb / GaSb / AlSb / InAs双势垒共振带间隧穿结构的负微分电阻行为的影响
机译:INAS / GASB隧道二极管
机译:垂直栅全能纳米线GaSb-InAs核壳n型隧道FET
机译:Inas / Gasb隧道二极管的微结构和电导斜率