机译:B + sup>注入和快速热退火可自组装GeSi量子点的可调光致发光
National Key Laboratory for Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China|c|;
机译:通过快速热退火从自动装饰TiO2量子点上可调谐和高光致发光量子产量来自氟掺杂的介孔TiO2花
机译:快速热退火对自组装量子点和量子环结构的影响
机译:热退火对自组装InAs / GaAs量子点光致发光影响的模型的演示和实验验证
机译:通过快速热退火形成具有/ spl sim / 11 meV的超窄光致发光线宽的自组装InAs / GaAs量子点
机译:提高尺寸可调溶液中溶液处理的硫化铅量子点的光致发光量子效率。
机译:通过热退火增强CdS量子点的光致发光
机译:热退火对自组装InAs / GaAs量子点光致发光影响的模型的演示和实验验证
机译:离子注入Znse快速热退火的各种加帽技术的光致发光光谱和卢瑟福背散射通道评价