机译:关于单个位错的电子性质
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle (Saale), Germany|c|;
机译:关于单个位错的电子性质
机译:在室温下在单晶硅表面上机械引入的位错的电子性质
机译:通过Gan / Aln单壁垒的电子传输:极化和位错的影响
机译:错位的电子性质
机译:位错对III族氮化物材料电子性能的影响。
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机译:关于单一脱位的电子特性
机译:由于位错 - 位错交叉引起的弛豫位错阻尼与镁单晶的应用