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机译:电子冲击电离截面新的SF_6替代品:一种组合二进制遇到(BEB)和Deutsch-Mark(DM)形式主义的方法
Southeast Univ Sch Elect Engn 2 Sipailou Nanjing 210096 Jiangsu Peoples R China;
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Xi An Jiao Tong Univ State Key Lab Elect Insulat & Power Equipment 28 XianNing West Rd Xian 710049 Shaanxi Peoples R China;
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机译:基于二进制 - 贝尔(BEB)和DEUTSCH-Mα的全氟酮(PFK)分子CXF2XO(X = 1-5)的电子碰撞电离截面的计算
机译:使用Deutsch-Mark(DM)形式论计算原子序数在20到56之间的原子的电子碰撞电离的绝对截面
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机译:使用Deutsch-Mark(DM)形式主义计算激发氩原子的电子冲击电离的横截面
机译:通过电喷雾电离质谱分析的蛋白质离子和蛋白质的非共价复合物的碰撞截面。
机译:烃离子的电子碰撞总电离截面
机译:电子碰撞电离横截面和离子的原子和离子与氢气的离子系数
机译:低电离阶段过渡金属离子实验和理论电子碰撞电离截面的研究