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正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算

         

摘要

我们发展了一种处理正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法,在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且该通道对电离的影响被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中.我们运用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面,计算结果和实验数据很好的符合.

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