机译:缺陷调制纳米线中的表面光学声子传播
Max-Planck-Institut fur Eisenforschung GmbH Max-Planck-Straβe 1 40237 Düsseldorf Germany;
Department of Chemistry and Center for NanoScience Ludwig-Maximilians-Universitat München Butenandstr 5-13(E) 81377 Miinchen Germany;
Center for Quantum Devices & Station Q Copenhagen Niels Bohr Institute University of Copenhagen 2100 Copenhagen Denmark;
Department of Chemistry and Center for NanoScience Ludwig-Maximilians-Universitat München Butenandstr 5-13(E) 81377 Miinchen Germany;
Max-Planck-Institut fur Eisenforschung GmbH Max-Planck-Straβe 1 40237 Düsseldorf Germany;
Max-Planck-Institut fur Eisenforschung GmbH Max-Planck-Straβe 1 40237 Düsseldorf Germany;
机译:GaN纳米线阵列中的表面光子声子模式:取决于纳米线密度和直径
机译:平面晶体缺陷和伪表面声子产生的声子散射的特殊性(薄缺陷层产生的横向声子的共振散射)
机译:几何形状和表面粗糙度在减小声子的作用意义自由路径和晶格导热率的调制纳米线
机译:直径调制纳米线中的电子和声子传输
机译:在硅纳米线超晶格中调制光学和电子性质
机译:声子表面散射对Si和SiGe纳米线热能分布的影响
机译:缺陷调制纳米线中的表面光学声子传播
机译:改进的光谱技术 - 电子显微镜观察到的石墨缺陷 - 自调制衍生光学光谱学原理 - Ricerche di fisica dei solidi presso il Laboratorio di microscopia Elettronica dell'IEN