机译:纤锌矿型GaN / HfO_2界面的几何结构和电子性质:第一性原理研究
Henan Agr Univ, Coll Sci, Zhengzhou 450002, Henan, Peoples R China;
Nankai Univ, Dept Elect, Tianjin 300071, Peoples R China;
Nankai Univ, Tianjin Key Lab Photoelect Thin Film Device & Tec, Tianjin 300071, Peoples R China;
Henan Univ Technol, Coll Sci, Zhengzhou 450001, Henan, Peoples R China;
机译:Ru / HfO_2界面的结构,能级和电子性质的第一性原理研究
机译:Si / SiO_2 / HfO_2介电常数的第一性原理研究
机译:Si钝化对HfO_2 / GaAs界面原子键合和电子性能的影响:第一性原理研究
机译:诸如Wurtzite BN的电子频带结构的第一原理研究及卟啉BN的声音分散特性
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:不同CH3NH3PbI3 / TiO2界面的结构和电子性质:第一性原理研究
机译:二维外侧GaN / SiC异质结构:电子和磁性的第一原理研究