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机译:通过自洽Poisson-Schrodinger计算分析半导体器件中的波动
Univ Maryland, Dept Elect & Comp Engn, College Pk, MD 20742 USA;
THRESHOLD VOLTAGE; INTERFACE ROUGHNESS; INVERSION-LAYERS; OXIDE THICKNESS; ELECTRON-STATES; MOBILITY MODEL; SIMULATION; MOSFETS; EQUATIONS; DEPENDENCE;
机译:半导体场效应晶体管纳米结构中耦合泊松-薛定DING方程的计算解
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