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机译:InP中InAs量子点的带间跃迁通过光电导和光致发光技术研究
Electronics and Physics Laboratory, Halmstad University, Box 823, SE-301 18 Halmstad, Sweden;
机译:InAs / GaAs量子点中近共振磁光致发光研究带间光跃迁
机译:磁光致发光研究1.55μm激光应用中覆盖层对InAs / InP量子点横向限制的影响
机译:同步互补光谱技术准确测定中红外激光的Inas / ingaas / inp量子点的电子跃迁
机译:衬底取向对InAs / GaAs量子点生长的影响
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:1.3-1.55μm窗口中变质InAs / InGaAs量子点的带间光电导
机译:InAs / GaAs量子点中近共振磁光致发光研究带间光跃迁