机译:通过拉曼光谱和光致发光光谱比较层状半导体GaSe,GaS和GaSe_(1-x)S_x
机译:评论“ GaSe_(1-x)S_x和GaSe_(1-x)Te_x厚晶体用于宽带太赫兹脉冲的产生” [Appl。物理来吧99,081105(2011)]
机译:对“评论GaSe_(1-x)S_x和GaSe_(1-x)Te_x厚晶体用于宽带太赫兹脉冲产生”的回应[Appl。物理来吧100,136103(2012)]
机译:GaSe_(1-x)S_x(0≤x≤1)系列层状晶体的可见光和结构性质
机译:GaSe_(1-x)S_x混合晶体的光致发光和时间分辨光致发光研究
机译:宽带隙半导体的光谱学:氮化镓,氧化锌及其纳米结构的拉曼光谱和光致发光。
机译:用显微拉曼光谱法与二氧化硅比较研究高κ介电层的拉曼光谱
机译:研究磁性中可能的电子相分离 半导体Ga $ _ {1-x} $ mn $ _ {x} $ as和Ga $ _ {1-x} $ mn $ _ {x} $ p通过 波动光谱学
机译:利用Femtoseond和皮秒激光技术研究时间分辨拉曼吸收和光致发光光谱的半导体