机译:垂直记录中单极和尾随屏蔽磁头的写入电流优化
Hitachi Global Storage Technologies, San Jose Research Center, 650 Harry Road, San Jose, California 95120;
机译:写入电流波形对垂直记录磁头磁化和磁头场动力学的影响
机译:垂直和纵向记录头中交替写入电流引起的磁极尖端突起的比较研究
机译:单极/ TMR磁头,用于100 Gb / in〜2垂直记录
机译:写电流波形对垂直记录头磁化和头场动态的影响
机译:用于高密度和高数据速率垂直记录的写入头的微磁建模。
机译:表征垂直磁记录记录头的磁足迹的方法
机译:用于垂直磁记录的低飞单极头的读/写特性