机译:芴基有机场效应晶体管中的酮缺陷位:器件性能快速下降的根源
Center for Frontier Materials, Department of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, 1 Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju 500-712, Republic of Korea;
机译:Au顶部接触电极的空穴注入势垒不可重现的根源及其对顶部接触有机场效应晶体管中器件性能的影响
机译:来自AU顶部接触电极的空穴注入屏障的IRREPRODUICIACIAL的起源及其对顶部触点有机场效应晶体管中的器件性能的影响
机译:Lndolo [3,2-b]咔唑的高性能有机单晶场效应晶体管及其在气体控制有机存储器件中的潜在应用
机译:基于并五苯的有机场效应晶体管器件的有机厚度依赖性
机译:用于有机场效应晶体管和有机光伏器件的基于并苯的有机半导体的结构-功能关系
机译:生物相容性/可降解的丝素蛋白:面向高性能有机场效应晶体管的聚乙烯醇混合介电层
机译:含噻吩并[3,2-b]噻吩-二酮吡咯并吡咯的聚合物,用于高性能有机场效应晶体管和有机光伏器件