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机译:飞行时间正电子an灭感应俄歇电子能谱法表征Si(001)表面Se钝化层的稳定性
Department of Electrical Engineering, University of Texas at Arlington, Arlington, Texas 76019;
机译:真空退火对电沉积氧化铜(I)层表面化学性质的影响
机译:正电子an没感应俄歇电子能谱分析表面顶层
机译:正电子an没感应俄歇电子能谱分析表面顶层
机译:正电子An没感应俄歇电子能谱研究半导体中的正电子-表面相互作用
机译:可以使用正电子an灭诱导的俄歇电子能谱(PAES)来阐明正电子表面状态模型中起点的选择吗?
机译:通过正电子an灭在石墨烯中形成价带空穴引发俄歇电子发射
机译:正电子an没诱导俄歇电子能谱
机译:正电子湮灭诱导俄歇电子能谱