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机译:改性锗凝结在绝缘体上锗硅中锗的运动机理
Department of Physics and Material Science, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, China;
机译:通过改性锗冷凝技术制造的SiGe-on绝缘体的应变进化,逐渐降低冷凝温度
机译:高通量Ge〜+离子注入后通过锗缩合制备的绝缘体上SiGe
机译:锗缩合法过氧化制备绝缘体上SiGe的应变演化
机译:改性锗冷凝法制造的绝缘子上锗的应变弛豫
机译:硅锗异质结构互扩散研究和选择性氧化制备绝缘体上锗
机译:表面凝结的开始:凝结模式的形成和转变机理
机译:在高能量Ge +离子注入之后通过锗凝聚制造的siGe-绝缘体