机译:通过全频带蒙特卡罗模拟对双门SONOS存储器中低V_(DD)编程操作进行时变分析
DEIS, University of Calabria, Via P. Bucci 41C, I-87036 Arcavacata di Rende (CS), Italy;
DIIEIT, University of Pisa, Via Caruso 16, I-56126 Pisa, Italy;
University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801 USA;
机译:全门蒙特卡洛模拟研究双门SONOS中的热电子注入
机译:使用全频带蜂窝蒙特卡洛模拟的半导体器件频率分析
机译:带有全频段蒙特卡罗模拟的4H-SIC电子传输分析,包括实时空间库仑相互作用
机译:埋地扩散位线SONOS闪存中二次电子诱导程序干扰的特征和蒙特卡罗分析
机译:量子校正的全频带半经典蒙特卡洛模拟研究,用于硅,应力硅和硅锗MOSFET中的电荷传输。
机译:一种模块化的方法来处理在monte Carlo模拟多个时间相关的量
机译:通过全频带蒙特卡罗模拟对双栅极SONOS存储器中的低VDD编程操作进行时变分析