机译:盖层和氧化物层之间的交换耦合对垂直介质中记录性能的影响
Hitachi Global Storage Technologies, 5600 Cotlle Road, San Jose, California 95193, USA;
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机译:颗粒氧化物与高交换耦合帽层之间的交换耦合的控制及其对垂直磁开关和记录特性的影响
机译:具有各向异性梯度氧化物和盖层的垂直磁记录介质的记录性能分析
机译:RuCoCr-氧化物中间层对CoCrPt-SiO2垂直记录介质的生长,微观结构和记录性能的影响
机译:帽层和氧化层在垂直介质中的记录性能下的交换耦合的影响
机译:具有超薄籽晶层的钴基多层膜,用于垂直磁记录介质。
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:垂直记录介质中软底层交换耦合领域的对记录性能的影响