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机译:单个InAs量子点中的精细结构分裂和激子自旋弛豫
SKLSM, Institute of Semiconductors, CAS, P.O. Box 912, Beijing 100083, China;
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机译:通过施加单轴应力调整单个InAs量子点中的激子能量和精细结构分裂
机译:自组装InAs / GaAs量子点中激子精细结构的分裂和极化之间的反相关
机译:InAs / GaAs量子点中激子极化寿命与精细结构分裂的相关性
机译:非磁性量子点的激子旋转松弛:自旋耦合与磁半导体量子点的效果
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:衬底取向对InAs / InP纳米线量子点的激子精细结构分裂的影响
机译:通过施加单轴应力来调整单个Inas量子点中的激子能量和精细结构分裂