机译:根据不同偏置电压下的导纳测量得出的薄膜太阳能电池中的缺陷分布
Department of Electronics and Information Systems (ELIS), Universiteit Gent, St-Pietersnieuwstraat 41,B-9000 Gent, Belgium;
Department of Electronics and Information Systems (ELIS), Universiteit Gent, St-Pietersnieuwstraat 41,B-9000 Gent, Belgium;
Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, EMPA, Uberlandstrasse 129, CH-8600 Diibendorf, Switzerland;
Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, EMPA, Uberlandstrasse 129, CH-8600 Diibendorf, Switzerland;
Laboratory for Thin Films and Photovoltaics, EMPA, Uberlandstrasse 129, CH-8600 Diibendorf, Switzerland;
Department of Electronics and Information Systems (ELIS), Universiteit Gent, St-Pietersnieuwstraat 41,B-9000 Gent, Belgium;
机译:CdTe薄膜太阳能电池中高浓度深能级缺陷的模拟导纳光谱测量
机译:用于检测薄膜太阳能电池近界面缺陷状态的电压依赖性导置光谱
机译:Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池导纳,电容-电压和电流-电压信号的解释
机译:通过偏压依赖性导纳光谱法测量薄膜太阳能电池上缺陷分布的准确性
机译:铜(铟,镓)硒化物薄膜多晶太阳能电池的光电流和电压限制的表征。
机译:用Ag代替Cu2ZnSn(SSe)4中的Cu:面向薄膜太阳能电池具有低反位缺陷的宽带隙吸收剂
机译:在不同偏置电压下从导纳测量推导的薄膜太阳能电池中的缺陷分布