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机译:用于集成光学电路的非石榴石基板上的真空退火铈取代钇铁石榴石薄膜
Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, Massachusetts 02139, USA;
Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan;
Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan;
Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan;
Toyohashi University of Technology, Hibarigaoka, Tempaku, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan;
Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, Massachusetts 02139, USA;
机译:溶胶凝胶法制备铈取代钇铁石榴石薄膜的纳米结构,光学和磁性
机译:相纯钇铁石榴石薄膜在硅上的生长:衬底和沉积后退火温度的影响
机译:在1550nm波长的硅基板上旋涂的铋替代的钇铁石榴石膜的磁光性能
机译:在硅上生长相纯钇铁石榴石薄膜:衬底和沉积后退火温度的影响
机译:用原位TEM方法探测钇铁石榴石薄膜薄膜的形态学
机译:铈钇铁石榴石薄膜在200–1770 nm波长的光学和磁光行为
机译:在1550nm波长的硅基板上旋涂的铋替代的钇铁石榴石膜的磁光性能